Imprimer la page
IXFN100N50P
Transistor MOSFET, PolarFET, Canal N, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
168 En Stock
300 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 44,260 € |
| 5+ | 38,790 € |
| 10+ | 33,310 € |
| 50+ | 32,660 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
44,26 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN100N50P
Code Commande1427318
Fiche technique
Type de canalCanal N
Courant de drain Id100A
Tension Vds max..500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.049ohm
Tension de test Rds(on)10V
Type de boîtier de transistorISOTOP
Montage transistorModule
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance1.04kW
Température de fonctionnement max..150°C
Nombre de broches4Broche(s)
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
Le IXFN100N50P est un MOSFET de puissance, mode de renforcement, canal N, avec miniBLOC, isolation en nitrure d'aluminium, diode de redressement rapide et commutation inductive non serrée (UIS).
- Diode de redressement rapide
- Faible inductance
- Indice d'inflammabilité UL94V-0
- Facile à monter
- Gain de place
- Haute densité de puissance
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a causé un allongement des délais, les dates de livraison peuvent fluctuer
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
500V
Tension de test Rds(on)
10V
Montage transistor
Module
Dissipation de puissance
1.04kW
Nombre de broches
4Broche(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Courant de drain Id
100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.049ohm
Type de boîtier de transistor
ISOTOP
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03
Traçabilité des produits