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IXFH52N30P
MOSFET de puissance, Canal N, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH52N30P
Code Commande3438384
Gamme de produitPolar HiperFET
Fiche technique
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|---|---|
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| 50+ | 4,390 € |
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH52N30P
Code Commande3438384
Gamme de produitPolar HiperFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds300V
Courant de drain Id52A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.073ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance400W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPolar HiperFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
52A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
400W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
300V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.073ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Polar HiperFET
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits