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IXFH10N100P
MOSFET de puissance, Canal N, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Traversant
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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH10N100P
Code Commande3438374
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
144 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,640 € |
| 5+ | 6,060 € |
| 10+ | 4,480 € |
| 50+ | 4,300 € |
| 100+ | 4,120 € |
| 250+ | 3,940 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFH10N100P
Code Commande3438374
Gamme de produitPolar HiPerFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds1kV
Courant de drain Id10A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.4ohm
Type de boîtier de transistorTO-247AD
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max6.5V
Dissipation de puissance380W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitPolar HiPerFET
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
10A
Type de boîtier de transistor
TO-247AD
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
380W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
1kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.4ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
6.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits