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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXDN75N120
Code Commande3438369
Fiche technique
Configuration IGBTSimple
Polarité transistorNPN
Courant Collecteur Continu150A
Courant de collecteur DC150A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)2.2V
Tension de saturation Emetteur Collecteur2.2V
Dissipation de puissance660W
Dissipation de puissance Pd660W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.2kV
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorSOT-227B
Borne IGBTGoujon
Nbre de broches4Broche(s)
Tension Collecteur Emetteur Max1.2kV
Technologie IGBTNPT IGBT [Standard]
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Simple
Courant Collecteur Continu
150A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
2.2V
Dissipation de puissance
660W
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.2kV
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur Emetteur Max
1.2kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarité transistor
NPN
Courant de collecteur DC
150A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2.2V
Dissipation de puissance Pd
660W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
SOT-227B
Nbre de broches
4Broche(s)
Technologie IGBT
NPT IGBT [Standard]
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004