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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantGUO40-12NO1
Code Commande3438360
Fiche technique
Nombre de phasesTriphasé
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen40A
Type de boîtier de pont redresseurGUFP
Nbre de broches5Broche(s)
Tension directe max1.28V
Montage pont redresseurTraversant
Courant de surtension vers l'avant370A
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Nombre de phases
Triphasé
Courant direct moyen
40A
Nbre de broches
5Broche(s)
Montage pont redresseur
Traversant
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Type de boîtier de pont redresseur
GUFP
Tension directe max
1.28V
Courant de surtension vers l'avant
370A
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits