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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI60-12A
Code Commande2674733
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen52A
Configuration diodeUne
Tension directe max2.55V
Temps de redressement en inverse40ns
Courant de surtension vers l'avant450A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeTO-247AD
Nbre de broches2 broches
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
40ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
52A
Tension directe max
2.55V
Courant de surtension vers l'avant
450A
Type de boîtier de diode
TO-247AD
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006
Traçabilité des produits