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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X61-06C
Code Commande2782968
Gamme de produitDSEI2
Fiche technique
31 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 24,610 € |
5+ | 21,320 € |
10+ | 18,030 € |
50+ | 18,000 € |
100+ | 17,960 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X61-06C
Code Commande2782968
Gamme de produitDSEI2
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive600V
Courant direct moyen120A
Tension directe max1.8V
Configuration Module DiodeDouble Isolé
Type de boîtier de diodeSOT-227B
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Courant de surtension vers l'avant550A
Type de montage de diodePanneau
Gamme de produitDSEI2
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
600V
Tension directe max
1.8V
Type de boîtier de diode
SOT-227B
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de montage de diode
Panneau
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Courant direct moyen
120A
Configuration Module Diode
Double Isolé
Nbre de broches
4Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
550A
Gamme de produit
DSEI2
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits