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FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X30-10B
Code Commande2674732
Gamme de produitDSEI
Fiche technique
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X30-10B
Code Commande2674732
Gamme de produitDSEI
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1kV
Courant direct moyen30A
Tension directe max2.4V
Configuration Module DiodeDouble Isolé
Type de boîtier de diodeSOT-227B
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Courant de surtension vers l'avant200A
Type de montage de diodePanneau
Gamme de produitDSEI
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1kV
Tension directe max
2.4V
Type de boîtier de diode
SOT-227B
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de montage de diode
Panneau
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Courant direct moyen
30A
Configuration Module Diode
Double Isolé
Nbre de broches
4Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
200A
Gamme de produit
DSEI
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03
Traçabilité des produits