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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 6,670 € |
5+ | 5,350 € |
10+ | 4,030 € |
50+ | 3,920 € |
100+ | 3,810 € |
250+ | 3,730 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDLA60I1200HA
Code Commande3438330
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen60A
Configuration diodeUne
Tension directe max1.19V
Temps de redressement en inverse-
Courant de surtension vers l'avant725A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeTO-247AD
Nombre de broches2Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
-
Température de fonctionnement max..
175°C
Nombre de broches
2Broche(s)
Qualification
-
Courant direct moyen
60A
Tension directe max
1.19V
Courant de surtension vers l'avant
725A
Type de boîtier de diode
TO-247AD
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits