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SPD08N50C3ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD08N50C3ATMA1
Code Commande1664112
Gamme de produitCoolMOS Series
Egalement appeléSPD08N50C3 , SP001117776
Fiche technique
1 933 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,500 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,869 € |
| 1000+ | 0,767 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantSPD08N50C3ATMA1
Code Commande1664112
Gamme de produitCoolMOS Series
Egalement appeléSPD08N50C3 , SP001117776
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id7.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.9V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS Series
Qualification-
Aperçu du produit
The SPD08N50C3 is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET comes with a new revolutionary high voltage technology. It offers ultra-low gate charge and ultra-low effective capacitances. The 500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the “working horse" of the portfolio.
- Low specific ON-state resistance
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) @ 400V
- Low gate charge (Qg)
- Field proven CoolMOS™ quality
- High efficiency and power density
- High reliability
- Ease of use
- Periodic avalanche rated
- Extreme dV/dt rated
- Improved transconductance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Remarques
Remplacement des CoolMOS 500V, C3 est un CoolMOS 500V, CE.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7.6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.6ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.9V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907
Traçabilité des produits