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S25HL512TDPNHI010
Mémoire Flash, NON-OU Série, 512 Mbit, 64M x 8 bits, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Broche(s)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS25HL512TDPNHI010
Code Commande3288076
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Egalement appeléSP005655691, S25HL512TDPNHI010
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 12,390 € |
| 10+ | 10,840 € |
| 25+ | 8,980 € |
| 50+ | 8,060 € |
| 100+ | 7,440 € |
| 250+ | 6,940 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantS25HL512TDPNHI010
Code Commande3288076
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
Egalement appeléSP005655691, S25HL512TDPNHI010
Fiche technique
Type de mémoire flashNON-OU Série
Densité de mémoire512Mbit
Configuration mémoire64M x 8 bits
InterfacesSPI
IC Boîtier/PaquetWSON-EP
Nbre de broches8Broche(s)
Fréquence d'horloge Max.133MHz
Temps d'accès-
Tension, alimentation min.2.7V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale3V
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit3V Serial NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
La S25HL512TDPNHI010 est une mémoire flash S25HS 1,8V, interface périphérique série (SPI) dans un boîtier WSON-EP, 8 broches.
- Densité de 512Mo
- Technologie CYPRESS™ 45nm MIRRORBIT™ qui stocke deux bits de données dans chaque cellule de matrice mémoire
- SDR 133MHz et DDR 66MHz
- Protection des blocs hérités pour la configuration de la matrice de mémoire et des périphériques
- Protection sectorielle avancée pour la protection sectorielle de chaque matrice de mémoire
- AutoBoot permet un accès immédiat à la matrice de mémoire après la mise sous tension
- Minimum 1 280 000 cycles d'effacement de programme pour la matrice principale
- Tension d'alimentation de 2,7V à 3,6V
- Température industrielle de -40°C à +85°C
Spécifications techniques
Type de mémoire flash
NON-OU Série
Configuration mémoire
64M x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
WSON-EP
Fréquence d'horloge Max.
133MHz
Tension, alimentation min.
2.7V
Tension d'alimentation nominale
3V
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Densité de mémoire
512Mbit
Interfaces
SPI
Nbre de broches
8Broche(s)
Temps d'accès
-
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907