S25FL256SAGNFB000

La S25FL256SAGNFB000 est une mémoire flash SPI multi-E/S, 3,0V, 512Mo (64Mo) FL-S. Il s'agit d'une mémoire flash non volatile utilisant la technologie MIRRORBIT™ - qui stocke deux bits de données dans chaque transistor de matrice mémoire, architecture Eclipse qui améliore considérablement les performances de programmation et d'effacement, lithographie de processus 65nm. Il se connecte au système hôte via SPI. Entrée et sortie série SPI simple bit (Single I/O ou SIO) pris en charge ainsi qu'une option avec deux bits (Dual I/O ou DIO) et quatre bits (Quad I/O ou QIO) Cette interface largeur multiple est appelé SPI multi-I/O ou MIO. De plus, la famille FL-S ajoute la prise en charge des commandes de lecture à débit binaire double (DDR) pour SIO, DIO et QIO qui transfèrent l'adresse et lisent les données sur les deux fronts d'horloge. Il offre des densités élevées associées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une variété d'applications mobiles ou embarquées. Ceci est idéal pour l'observation de code, XIP et le stockage de données.

• Cœur CMOS 3.0V avec E/S polyvalentes
• Endurance, 100 000 cycles d'effacement de programme, minimum
• Rétention de données pendant 20 ans, minimum
• Tableau OTP de 1024 octets, protection par bloc
• Bits de registre d'état pour contrôler la protection contre une programmation/effacement d'une gamme contiguë de secteurs
• Protection avancée des secteurs (ASP), protection individuelle des secteurs contrôlée par code de démarrage ou mot de passe
• Technologie MIRRORBIT™ 65nm avec architecture Eclipse
• Tension d'alimentation du noyau: 2.7V à 3.6V
• Boîtier WSON 8 contacts
• Plage de température: automobile AEC-Q100 grade 2 (-40°C à +105°C)