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PVT322APBF
Relais MOSFET, DPST-NO (2 Forme A), AC / DC, 250 V, 170 mA, DIP-8, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantPVT322APBF
Code Commande2781277
Gamme de produitHEXFET PVT322APbF
Egalement appeléSP001541394
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 5+ | 8,930 € |
| 10+ | 8,400 € |
| 50+ | 7,330 € |
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| 250+ | 7,040 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantPVT322APBF
Code Commande2781277
Gamme de produitHEXFET PVT322APbF
Egalement appeléSP001541394
Fiche technique
Configuration des contactsDPST-NO
Forme de contactDPST-NO (2 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.250V
Courant, charge170mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-8
Montage relaisTraversant
Bornes de relaisBroche PC
Courant, direct, If25mA
Résistance On State Max.8ohm
Tension, isolation4kV
Type de capacité d'E/S1pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitHEXFET PVT322APbF
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
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Spécifications techniques
Configuration des contacts
DPST-NO
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
170mA
Montage relais
Traversant
Courant, direct, If
25mA
Tension, isolation
4kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Forme de contact
DPST-NO (2 Forme A)
Tension de charge Max.
250V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-8
Bornes de relais
Broche PC
Résistance On State Max.
8ohm
Type de capacité d'E/S
1pF
Gamme de produit
HEXFET PVT322APbF
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001