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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRLR2705TRLPBF
Code Commande3155163RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001552768
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id28A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.04ohm
Résistance Rds(on)0.04ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance Pd68W
Dissipation de puissance68W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produits de remplacement pour IRLR2705TRLPBF
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.04ohm
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
68W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
28A
Résistance Rds(on)
0.04ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Dissipation de puissance
68W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0002