IRLL2705TRPBF

L'IRLL2705TRPBF est un MOSFET de puissance simple canal N. La cinquième génération HEXFET® utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du composant, permet un fonctionnement extrêmement efficace et fiable. Le boîtier est conçu pour un montage en surface en utilisant les techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague. La conception de son boîtier unique permet un placement automatique facile comme pour d’autres boîtiers SOT ou SOIC, mais présente l’avantage supplémentaire d’améliorer les performances thermiques grâce à une languette élargie pour la dissipation de chaleur. Une dissipation de puissance de 1W est possible dans une application de montage en surface typique.

• dV/dt dynamique
• Driver de porte niveau logique
• Facile à mettre en parallèle
• Process Technologie Avancée
• Résistance ON Drain-Source faible statique