IRFR024NTRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,695 € |
| 10+ | 0,517 € |
| 100+ | 0,398 € |
| 500+ | 0,349 € |
| 1000+ | 0,304 € |
| 5000+ | 0,250 € |
Informations produit
Aperçu du produit
L'IRFR024NTRPBF est un MOSFET de puissance canal N. La cinquième génération HEXFET® utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage combiné à une vitesse de commutation rapide et à une conception d'appareils robustes, fournit un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier est conçu pour un montage en surface en utilisant les techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague. Une dissipation de puissance de 1,5W est possible dans une application de montage en surface typique.
- Process Technologie Avancée
- Avalanche complète
- Résistance ON Drain-Source faible statique
- dV/dt dynamique
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
17A
TO-252AA
10V
45W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.075ohm
Montage en surface
4V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit