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IRFH8202TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 25 V, 47 A, 900 µohm, PQFN, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH8202TRPBF
Code Commande2577191RL
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Egalement appeléSP001572718
Fiche technique
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH8202TRPBF
Code Commande2577191RL
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Egalement appeléSP001572718
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id47A
Résistance Drain-Source à l'état-ON900µohm
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.8V
Dissipation de puissance3.6W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Produits de remplacement pour IRFH8202TRPBF
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
47A
Type de boîtier de transistor
PQFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
900µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
StrongIRFET, HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (08-Jul-2021)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001