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IRFH5210TRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 55 A, 0.0149 ohm, PQFN, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,768 € |
| 500+ | 0,601 € |
| 1000+ | 0,531 € |
| 5000+ | 0,461 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
81,80 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH5210TRPBF
Code Commande2580006RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001556226
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0149ohm
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance104W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
PQFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
104W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0149ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000129
Traçabilité des produits