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IRFH4253DTRPBF
MOSFET double, Canal N + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH4253DTRPBF
Code Commande2577150RL
Gamme de produitFastIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001556246
Fiche technique
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH4253DTRPBF
Code Commande2577150RL
Gamme de produitFastIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001556246
Fiche technique
Type de canalCanal N + Schottky
Tension Drain Source Vds, Canal N25V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N145A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0011ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorQFN
Nbre de broches10Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P50W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitFastIRFET HEXFET Series
Qualification-
Aperçu du produit
IRFH4253DTRPBF is a HEXFET® Power MOSFET. Application includes control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package, increased power density
- Low charge control MOSFET (10nC typical), lower switching losses
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>1.45mohm), lower conduction losses
- Intrinsic schottky diode with low forward voltage on Q2, lower switching losses
- Environmentally friendlier, industrial qualification, increased reliability
- Drain-to-source breakdown voltage is 25V (typ, Q1, Q2, VGS = 0V, ID = 250µA/1.0mA)
- Breakdown voltage temp coefficient is 22mV/°C (typ, Q1, Q2, reference to 25°C, ID = 1.0mA)
- Gate threshold voltage is 1.6V (typ, Q1: VDS = VGS, ID = 35µA, Q2: VDS = VGS, ID = 100µA)
- Drain-to-source leakage current is 1.0µA (typ, VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Dual PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N + Schottky
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
10Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
FastIRFET HEXFET Series
Tension Drain Source Vds, Canal N
25V
Courant de drain continu Id, Canal N
145A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0011ohm
Type de boîtier de transistor
QFN
Dissipation de puissance Canal P
50W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits