Imprimer la page
IRFB7530PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB7530PBF
Code Commande2406514
Gamme de produitStrongIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001575524
Fiche technique
11 121 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,860 € |
| 10+ | 2,800 € |
| 100+ | 1,510 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,340 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
2,86 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFB7530PBF
Code Commande2406514
Gamme de produitStrongIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001575524
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id195A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.002ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.7V
Dissipation de puissance375W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L’IRFB7530PBF est un MOSFET de puissance, canal N simple HEXFET® qui offre une grille améliorée, une avalanche et un dV/dt dynamique robuste. Il convient aux circuits alimentés par batterie, aux applications de redressement synchrone, aux commutateurs de puissance à joint torique et redondant, aux topologies en demi-pont et en pont complet.
- Capacité entièrement caractérisé et avalanche SOA
- Diode améliorée capacité dV/dt et di/dt
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
195A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.002ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.7V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IRFB7530PBF
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00195