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IRF7907TRPBF
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBF
Code Commande2725920RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001566462
Fiche technique
4 113 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 50+ | 0,873 € |
| 250+ | 0,597 € |
| 1000+ | 0,426 € |
| 2000+ | 0,406 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
92,30 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7907TRPBF
Code Commande2725920RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001566462
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N11A
Courant de drain continu Id, Canal P11A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N9800µohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P9800µohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P2W
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
MOSFET de puissance double canal N, HEXFET® pour les convertisseurs POL dans les ordinateurs portables, les serveurs, les cartes graphiques, les consoles de jeux et les décodeurs.
- Rds(on) très faible à 4.5V VGS
- Faible charge de grille
- Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
- Amélioration de la récupération inverse de la diode
- 100% testé pour RG
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
11A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
9800µohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
11A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
9800µohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00019
Traçabilité des produits