IRF7341TRPBF
MOSFET double, Canal N, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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Produits de remplacement pour IRF7341TRPBF
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Aperçu du produit
L'IRF7341TRPBF est un MOSFET, canal N, double, utilisant des techniques de traitement avancées pour atteindre la résistance ON la plus faible possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et un composant robuste. Le MOSFET HEXFET Power est un composant extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier SO-8 a été modifié à l'aide d'une grille de connexion personnalisée pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité multi-matrice, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications de puissance. Grâce à ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans des applications avec un espace de carte considérablement réduit.
- Technologie de génération V
- Résistance On Ultra basse
- Composant monté en surface
- dV/dt dynamique
- Performance de commutation rapide
Spécifications techniques
Canal N
55V
4.7A
0.043ohm
8Broche(s)
2W
Compute Module 3+ Series
-
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
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