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IRF7341GTRPBF
MOSFET double, Canal N, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBF
Code Commande2839483RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléIRF7341GTRPBF, SP001563394
Fiche technique
3 389 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 50+ | 1,240 € |
| 250+ | 1,030 € |
| 1000+ | 0,850 € |
| 2000+ | 0,762 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
129,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7341GTRPBF
Code Commande2839483RL
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléIRF7341GTRPBF, SP001563394
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N55V
Tension drain source Vds, Canal P55V
Courant de drain continu Id, Canal N5.1A
Courant de drain continu Id, Canal P5.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.043ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.043ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.7W
Dissipation de puissance, Canal P1.7W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium.
- Process Technologie Avancée
- MOSFET double canal N
- Résistance On, Ultra faible
- Température d'utilisation 175°C
- Avalanche répétée autorisée jusqu'à Tjmax
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
55V
Courant de drain continu Id, Canal P
5.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.043ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.7W
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
-
Tension Drain Source Vds, Canal N
55V
Courant de drain continu Id, Canal N
5.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.043ohm
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
1.7W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00027
Traçabilité des produits