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Quantité | Prix (hors TVA) |
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5+ | 1,420 € |
50+ | 0,892 € |
250+ | 0,610 € |
1000+ | 0,426 € |
2000+ | 0,425 € |
Informations produit
Aperçu du produit
L'IRF7316TRPBF est un MOSFET, canal P, double, utilisant des techniques de traitement avancées pour atteindre la résistance ON la plus faible possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et un composant robuste. Le MOSFET HEXFET Power est un composant extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier SO-8 a été modifié à l'aide d'une grille de connexion personnalisée pour des caractéristiques thermiques améliorées et une capacité multi-matrice, ce qui le rend idéal dans une variété d'applications de puissance. Grâce à ces améliorations, plusieurs périphériques peuvent être utilisés dans des applications avec un espace de carte considérablement réduit.
- Technologie de génération V
- Résistance On Ultra basse
- Composant monté en surface
- Avalanche complète
Spécifications techniques
Canal P
30V
4.9A
0.042ohm
8Broche(s)
2W
-
MSL 1 - Illimité
30V
4.9A
0.042ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit