Imprimer la page
IRF6717MTRPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 25 V, 38 A, 0.00125 ohm, DirectFET MX, Montage en surface
160 En Stock
4 800 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 2,800 € |
| 50+ | 1,970 € |
| 250+ | 1,600 € |
| 1000+ | 1,300 € |
| 2000+ | 1,270 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
14,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6717MTRPBF
Code Commande2781114
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001525458
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id38A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00125ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET MX
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.8V
Dissipation de puissance96W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
38A
Type de boîtier de transistor
DirectFET MX
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
96W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00125ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.8V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits