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Produits de remplacement pour IRF1010NPBF
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Aperçu du produit
Le IRF1010NPBF est un MOSFET de puissance canal N, HEXFET® qui utilise des techniques de traitement avancées pour atteindre une très faible résistance-ON par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du composant, permet un fonctionnement extrêmement efficace et fiable. Le boîtier est universellement préférée pour toutes les applications commerciales, industrielles avec des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50W.
- Process Technologie Avancée
- dV/dt dynamique
- Avalanche complète
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
68A
TO-220AB
10V
115W
175°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
55V
0.011ohm
Traversant
4V
3Broche(s)
-
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit