IR2117SPBF
Circuit MOSFET, High Side, Alimentation 10V-20V, 500mA Out, 105ns Retard, SOIC-8
Vous en voulez davantage ?
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,500 € |
| 10+ | 1,150 € |
| 50+ | 0,964 € |
| 100+ | 0,855 € |
| 250+ | 0,839 € |
| 500+ | 0,815 € |
| 1000+ | 0,797 € |
| 2500+ | 0,791 € |
Informations produit
Aperçu du produit
L'IR2117SPBF est un MOSFET de puissance à canal unique et un driver IGBT doté de technologies brevetées HVIC et CMOS immunisé au verrouillage permettant une construction monolithique robuste. L'entrée logique est compatible avec les sorties CMOS standards. Les Drivers de sortie disposent d'un étage tampon pour les courants haute impulsion conçu pour les Drivers transversale avec conduction minimale Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un MOSFET de puissance canal N ou un IGBT dans une configuration high-Side ou low-side qui fonctionne jusqu'à 600 V.
- Canal flottant conçu pour une utilisation en Bootstrap
- Tolérance à une tension transitoire négative(dV/dt immune)
- Verrouillage en cas de sous-tension
- Entrées CMOS Trigger de Schmitt avec pull-down
- Sortie en phase avec l'entrée
- Haute tension
- Haute vitesse
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
1Canal(aux)
High Side
8Broche(s)
Montage en surface
250mA
10V
-40°C
125ns
-
MSL 2 - 1 an
-
MOSFET
SOIC
Non Inverseur
500mA
20V
125°C
105ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit