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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | 3,020 € |
10+ | 2,320 € |
25+ | 2,080 € |
50+ | 2,010 € |
100+ | 1,940 € |
250+ | 1,870 € |
500+ | 1,790 € |
1000+ | 1,670 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le IR2010SPBF est un MOSFET de puissance haute tension haute vitesse et Driver d'IGBT avec des canaux de sortie indépendants - côté haute et basse référencés. Les entrées logiques sont compatibles avec les sorties standard CMOS ou LSTTL et jusqu'à une logique de 3V. Les Drivers de sortie disposent d'un étage tampon pour les courants haute impulsion conçu pour les Drivers transversale avec conduction minimale Les délais de propagation sont adaptés pour simplifier l'utilisation dans les applications haute fréquence. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un MOSFET de puissance canal N ou un IGBT dans une configuration High-Side qui fonctionne jusqu’à 200V. Les technologies HVIC exclusives et les technologies à base de verrouillage HMC permettent une construction monolithique robuste.
- Canal flottant conçu pour une utilisation en Bootstrap
- Tolérance à une tension transitoire négative(dV/dt immune)
- Verrouillage en cas de sous-tension pour les deux canaux
- Compatible avec la logique 3.3V
- Offset Logique et masse alim. ±5V
- Entrées CMOS Trigger de Schmitt avec pull-down
- L'entrée 'Shutdown' désactive les deux canaux
- Logique de prévention de conduction croisée
- Retard de propagation équilibré pour les deux canaux
- Sorties en phase avec les entrées
Spécifications techniques
2Canal(aux)
High Side et Low Side
16Broche(s)
Montage en surface
3A
10V
-40°C
95ns
-
MSL 3 - 168 heures
-
MOSFET
SOIC
Non Inverseur
3A
20V
125°C
65ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit