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IPW60R017C7XKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R017C7XKSA1
Code Commande2839474
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPW60R017C7, SP001313542
Fiche technique
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| 10+ | 15,120 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R017C7XKSA1
Code Commande2839474
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPW60R017C7, SP001313542
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id109A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.017ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance446W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Transistor de puissance 600V CoolMOS™ C7, une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance haute tension. Conçu selon le principe de superjonction (SJ) convient pour une utilisation dans les étages PFC et les étages PWM (TTF, LLC) pour SMPS haute puissance/performance, par ex. en informatique, serveur, télécom, onduleur et solaire.
- Convient pour la commutation dure et douce (PFC et LLC haute performance)
- Augmente la robustesse du MOSFET dv/dt à 120V/ns
- Meilleure efficacité grâce au meilleur de sa catégorie RDS(on) *Eoss et RDS(on)*Qg
- Meilleur RDS(on)/package de sa catégorie
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (J-STD20 et JESD22)
- Économies d'échelle accrues grâce à l'utilisation dans les topologies PFC et PWM dans l'application
- Une limite dv/dt plus élevée permet une commutation plus rapide conduisant à une efficacité plus élevée
- Permettre une plus grande efficacité du système en réduisant les pertes de commutation
- Solutions de densité de puissance accrue grâce à des boîtiers plus petits
- Fréquences de commutation plus élevées possibles sans perte d'efficacité en raison des faibles Eoss et Qg
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
109A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
446W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.017ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS C7
MSL
-
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001