Imprimer la page
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Montage en surface
82 En Stock
4 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 6,290 € |
| 50+ | 4,640 € |
| 100+ | 3,620 € |
| 500+ | 3,190 € |
| 1000+ | 3,130 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
31,45 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT012N08N5ATMA1
Code Commande2617417
Gamme de produitOptiMOS 5
Egalement appeléIPT012N08N5, SP001227054
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id300A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.001ohm
Type de boîtier de transistorPG-HSOF
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS 5
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IPT012N08N5ATMA1 is a 80V, 400A OptiMOSTM 5power-transistor in 8 pin HSOF package. Ideal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on) of 1.2mohm
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
300A
Type de boîtier de transistor
PG-HSOF
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.001ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000953
Traçabilité des produits