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IPT007N06NATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT007N06NATMA1
Code Commande2480868
Egalement appeléIPT007N06N, SP001100158
Fiche technique
4 637 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 5,900 € |
| 50+ | 4,150 € |
| 100+ | 3,370 € |
| 500+ | 3,120 € |
| 1000+ | 3,100 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
29,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT007N06NATMA1
Code Commande2480868
Egalement appeléIPT007N06N, SP001100158
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id300A
Résistance Drain-Source à l'état-ON660µohm
Type de boîtier de transistorHSOF
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IPT007N06N est un MOSFET de puissance à canal N optimisé pour les applications à fort courant. Ce nouveau package est une solution parfaite pour les applications à forte puissance nécessitant une efficacité maximale, un comportement EMI exceptionnel ainsi qu'un comportement thermique et une réduction de l'espace optimaux.
- RDS(on) le plus faible de l'industrie
- Capacité de courant jusqu'à 300A maximale
- Très faible encombrement et inductances
- Moins de parallélisation et de dissipation nécessaire
- Fiabilité maximale du système
- Permet un design très compact
- Test Avalanche 100%
- Résistance thermique supérieure
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.
- Sans halogène, Produit vert
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
300A
Type de boîtier de transistor
HSOF
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
660µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001436