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IPL65R070C7AUMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 28 A, 0.062 ohm, VSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL65R070C7AUMA1
Code Commande2726062RL
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPL65R070C7, SP001032720
Fiche technique
1 104 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 4,250 € |
| 100+ | 3,650 € |
| 500+ | 3,310 € |
| 1000+ | 3,240 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL65R070C7AUMA1
Code Commande2726062RL
Gamme de produitCoolMOS C7
Egalement appeléIPL65R070C7, SP001032720
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id28A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.062ohm
Type de boîtier de transistorVSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance169W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS C7
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Transistor de puissance 650V CoolMOS™ C7, une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance haute tension. Conçu selon le principe de superjonction (SJ) convient pour une utilisation dans les étages PFC et les étages PWM (TTF, LLC) pour SMPS haute puissance/performance, par ex. en informatique, serveur, télécom, onduleur et solaire.
- MOSFET dv/dt robustesse améliorée
- Meilleure efficacité grâce au meilleur de sa catégorie FOM RDS(on) *Eoss et RDS(on)*Qg
- Boîtier SMD PAK mince avec une très faible inductance parasite pour permettre une commutation rapide et fiable
- Facile à utiliser/piloter grâce à la broche source du driver pour un meilleur contrôle de la grille
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (J-STD20 et JESD22)
- Permettre une plus grande efficacité du système en réduisant les pertes de commutation
- Permettre des solutions à fréquence plus élevée/densité de puissance accrue
- Économies sur les coûts et la taille du système grâce aux besoins de refroidissement réduits
- Fiabilité du système plus élevée grâce à des températures de fonctionnement plus basses
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
28A
Type de boîtier de transistor
VSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
169W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.062ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS C7
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004196