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IPG20N10S4L22AATMA1
MOSFET double, Canal N, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L22AATMA1
Code Commande2725856
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Egalement appeléIPG20N10S4L-22A, SP001091984
Fiche technique
15 195 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,770 € |
| 10+ | 1,090 € |
| 100+ | 0,844 € |
| 500+ | 0,651 € |
| 1000+ | 0,618 € |
| 5000+ | 0,531 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,77 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S4L22AATMA1
Code Commande2725856
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Egalement appeléIPG20N10S4L-22A, SP001091984
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N20A
Courant de drain continu Id, Canal P20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.02ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.02ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P60W
Dissipation de puissance, Canal P60W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance OptiMOS -T2
- Double canal N, niveau logique, mode d'amélioration
- Automobile AEC Q101 qualifié
- Température de fonctionnement 175°C
- Testé à 100% contre les avalanches
- Faisable pour l'inspection optique automatique (AOI)
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.02ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
60W
Gamme de produit
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.02ohm
Type de boîtier de transistor
TDSON
Dissipation de puissance Canal P
60W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000389
Traçabilité des produits