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IPG20N10S436AATMA1
MOSFET double, Canal N, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S436AATMA1
Code Commande3227664
Gamme de produitOptiMOS-T2 Series
Egalement appeléIPG20N10S4-36A, SP001102930
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,743 € |
| 500+ | 0,622 € |
| 1000+ | 0,559 € |
| 5000+ | 0,478 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,81 € (sans TVA)
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N10S436AATMA1
Code Commande3227664
Gamme de produitOptiMOS-T2 Series
Egalement appeléIPG20N10S4-36A, SP001102930
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N20A
Courant de drain continu Id, Canal P20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.031ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.031ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P43W
Dissipation de puissance, Canal P43W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS-T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.031ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
43W
Gamme de produit
OptiMOS-T2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain continu Id, Canal N
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.031ohm
Type de boîtier de transistor
TDSON
Dissipation de puissance Canal P
43W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits