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IPD90R1K2C3ATMA2
MOSFET de puissance, Canal N, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,950 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 0,855 € |
| 500+ | 0,680 € |
| 1000+ | 0,625 € |
| 5000+ | 0,546 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90R1K2C3ATMA2
Code Commande3703565
Gamme de produitCoolMOS
Egalement appeléIPD90R1K2C3, SP002548874
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..900V
Courant de drain Id5.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.94ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitCoolMOS
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5.1A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.94ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits