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IPD80R280P7ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R280P7ATMA1
Code Commande2750415RL
Gamme de produitCoolMOS P7
Egalement appeléIPD80R280P7, SP001422596
Fiche technique
7 333 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,510 € |
| 500+ | 1,310 € |
| 1000+ | 1,300 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R280P7ATMA1
Code Commande2750415RL
Gamme de produitCoolMOS P7
Egalement appeléIPD80R280P7, SP001422596
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id17A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.28ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance101W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Transistor de puissance 800V CoolMOS™ P7. Recommandé pour les topologies flyback à commutation dure et douce pour l'éclairage LED, les chargeurs et adaptateurs faible puissance, l'audio, les alimentations AUX et les alimentations industrielles. Convient également pour la phase PFC dans les applications grand public et solaire.
- Le meilleur de sa catégorie FOM RDS(on)*Eoss ; Qg, Ciss et Coss réduits
- DPAK RDS (activé) le meilleur de sa catégorie
- Meilleure classe V(GS) de 3V et la plus petite variation V(GS) de ±0,5V
- Protection ESD par diode Zener intégrée
- Qualité et fiabilité CoolMOS™ de premier ordre
- Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (J-STD20 et JESD22)
- Portefeuille entièrement optimisé
- Performances de premier ordre, facile à conduire et à mettre en parallèle
- Meilleur rendement de production en réduisant les défaillances liées aux ESD
- Moins de problèmes de production et des retours sur le terrain réduits
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
17A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
101W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.28ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits