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IPD50R500CEAUMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,428 € |
| 500+ | 0,367 € |
| 1000+ | 0,355 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50R500CEAUMA1
Code Commande2766355RL
Gamme de produitCoolMOS
Egalement appeléIPD50R500CE, SP001396792
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..500V
Courant de drain Id7.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.45ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)13V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance57W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitCoolMOS
Qualification-
MSLMSL 3 - 168 heures
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7.6A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
13V
Dissipation de puissance
57W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.45ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000444
Traçabilité des produits