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IPB60R299CPAATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R299CPAATMA1
Code Commande3294653
Gamme de produitCoolMOS
Egalement appeléIPB60R299CPA, SP000539970
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..600V
Courant de drain Id11A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.27ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance96W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitCoolMOS
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produits de remplacement pour IPB60R299CPAATMA1
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
96W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Vds max..
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.27ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.019958