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IPB200N25N3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB200N25N3GATMA1
Code Commande2432726
Egalement appeléIPB200N25N3 G, SP000677896
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,790 € |
| 10+ | 3,850 € |
| 100+ | 3,320 € |
| 500+ | 3,150 € |
| 1000+ | 2,570 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB200N25N3GATMA1
Code Commande2432726
Egalement appeléIPB200N25N3 G, SP000677896
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds250V
Courant de drain Id64A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le IPB200N25N3 G est un MOSFET de puissance, canal N basé sur la technologie de référence OptiMOS™. Il est parfaitement adapté pour les redressements synchrones dans les systèmes 48V, les convertisseurs DC-DC, les alimentations sans coupure (UPS) et les onduleurs.
- RDS le plus bas de l'industrie (ON)
- Qg et Qgd les plus bas
- FOM, MSL 1 le plus bas du monde
- Fort rendement
- Haute densité de puissance
- Mise en parallèle minimale requise
- Respectueux de l'environnement
- Produits faciles à concevoir
- Idéal pour une commutation haute fréquence et un redressement synchrone
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles
- Sans halogène, Produit vert
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
64A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
250V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPB200N25N3GATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00181