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IPB027N10N3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB027N10N3GATMA1
Code Commande2443379
Egalement appeléIPB027N10N3 G, SP000506508
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,980 € |
| 10+ | 2,640 € |
| 50+ | 2,630 € |
| 200+ | 2,250 € |
| 500+ | 2,200 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB027N10N3GATMA1
Code Commande2443379
Egalement appeléIPB027N10N3 G, SP000506508
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0023ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
L'IPB027N10N3 G est un MOSFET de puissance, canal N, OptiMOS™ qui offre des solutions supérieures pour les SMPS à haute efficacité et haute densité de puissance. Par rapport à la meilleure technologie suivante, cette famille permet une réduction de 30% à la fois en RDS (ON) et en FOM.
- Excellentes performances de commutation
- Le RDS le plus bas du monde (ON)
- Qg et Qgd très faible
- Excellente charge de grille x produit RDS (ON) (FOM)
- Respectueux de l'environnement
- Haute densité de puissance
- Moins de parallélisme requis
- Plus faible consommation d'espace
- Produits faciles à concevoir
- Sans halogène, Produit vert
- MSL1 Classe 2
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0023ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPB027N10N3GATMA1
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00181