Imprimer la page
IMZA120R030M1HXKSA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R030M1HXKSA1
Code Commande4376969
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Egalement appeléIMZA120R030M1H, SP005425985
Fiche technique
343 En Stock
240 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 13,950 € |
| 5+ | 13,120 € |
| 10+ | 12,290 € |
| 50+ | 11,300 € |
| 100+ | 10,630 € |
| 250+ | 10,300 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
13,95 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R030M1HXKSA1
Code Commande4376969
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Egalement appeléIMZA120R030M1H, SP005425985
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id70A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0409ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.2V
Dissipation de puissance273W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMZA120R030M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Suitable for General purpose drives (GPD), EV-charging, online UPS/industrial UPS, string inverter and solar power optimizer applications.
- Silicon carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- 1200V VDSS at Tvj = 25°C and 70A IDDC at Tc = 25°C
- RDS(on) = 30mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- 4 pin TO-247 package, virtual junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
70A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0409ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.2V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
273W
Gamme de produit
CoolSiC Trench Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits