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IMZ120R060M1HXKSA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZ120R060M1HXKSA1
Code Commande3223685
Gamme de produitCoolSiC
Egalement appeléIMZ120R060M1H, SP001808370
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id36A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.06ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance150W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.06ohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
150W
Gamme de produit
CoolSiC
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001