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IMCQ120R040M2HXTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMCQ120R040M2HXTMA1
Code Commande4695757RL
Egalement appeléIMCQ120R040M2H, SP005927124
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 7,390 € |
| 50+ | 6,470 € |
| 100+ | 5,870 € |
| 250+ | 5,750 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMCQ120R040M2HXTMA1
Code Commande4695757RL
Egalement appeléIMCQ120R040M2H, SP005927124
Fiche technique
Aperçu du produit
IMCQ120R040M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 39A at TC = 100°C
- RDS(on) = 39.6mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits