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IMBG120R030M1HXTMA1
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R030M1HXTMA1
Code Commande3582461
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléIMBG120R030M1H, SP004463784
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 14,100 € |
| 5+ | 12,200 € |
| 10+ | 10,290 € |
| 50+ | 9,080 € |
| 100+ | 7,870 € |
| 250+ | 7,710 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R030M1HXTMA1
Code Commande3582461
Gamme de produitCoolSiC Series
Egalement appeléIMBG120R030M1H, SP004463784
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id56A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.041ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nombre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5.7V
Dissipation de puissance300W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitCoolSiC Series
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
56A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.041ohm
Nombre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5.7V
Température de fonctionnement max..
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
300W
Gamme de produit
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001959
Traçabilité des produits