IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1 est un transistor de puissance à mode amélioré CoolGaN™ 600 V. L'IGT60R190D1 permet des topologies plus compactes et une efficacité accrue lors d'un fonctionnement à fréquence plus élevée. Il est certifié via un processus de qualification approfondi spécifique au GaN, dépassant les normes de l'industrie. Il est conçu pour une dissipation de puissance optimale requise dans les centres de données modernes, les serveurs, les télécommunications, les énergies renouvelables et de nombreuses autres applications. Les applications incluent les SMPS industriels, de télécommunications et de centres de données basés sur la topologie en demi-pont (topologies en demi-pont pour la commutation matérielle et logicielle telles que Totem pôle PFC, LLC haute fréquence).

• Transistor en mode d'amélioration, Interrupteur normalement OFF, commutation ultra-rapide
• Pas de charge de récupération inverse, capable de conduction inverse
• Faible charge de grille, faible charge de sortie, robustesse de commutation supérieure
• Qualifié pour les applications industrielles selon les normes JEDEC (JESD47 et JESD22)
• Améliore l'efficacité du système, améliorée la densité de puissance
• Permet une fréquence de fonctionnement plus élevée, des économies de réduction des coûts du système, réduit les EMI
• Tension Drain-Source (continu) 600V à VGS = 0V, Tj = 25°C
• Résistance à l'état On, drain-source de 0,19 ohm à IG = 9,6mA, ID = 5A, Tj = 25°C.
• Boîtier PG-HSOF-8-3
• Température d'utilisation -55 à 150°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.