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IGT60R190D1ATMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT60R190D1ATMA1
Code Commande4220238
Gamme de produitCoolGaN Series
Fiche technique
1 953 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,750 € |
| 10+ | 5,120 € |
| 100+ | 4,530 € |
| 500+ | 3,870 € |
| 1000+ | 3,390 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGT60R190D1ATMA1
Code Commande4220238
Gamme de produitCoolGaN Series
Fiche technique
Tension Vds max..600V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.14ohm
Charge de porte Typique3.2nC
Type de boîtier de transistorPG-HSOF-8-3
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.14ohm
Type de boîtier de transistor
PG-HSOF-8-3
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
12A
Charge de porte Typique
3.2nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001