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IGLR70R200D2SXUMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLR70R200D2SXUMA1
Code Commande4694674
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLR70R200D2S, SP006123208
Fiche technique
280 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,100 € |
| 10+ | 1,500 € |
| 100+ | 1,200 € |
| 500+ | 1,010 € |
| 1000+ | 0,859 € |
| 5000+ | 0,785 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,10 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLR70R200D2SXUMA1
Code Commande4694674
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLR70R200D2S, SP006123208
Fiche technique
Tension Vds max..700V
Courant de drain Id9.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.24ohm
Charge de porte Typique1.26nC
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches8Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
700V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.24ohm
Type de boîtier de transistor
TSON
Nombre de broches
8Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
9.3A
Charge de porte Typique
1.26nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits