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IGC033S10S1XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, TSON, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC033S10S1XTMA1
Code Commande4640392
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Egalement appeléIGC033S10S1, SP005751571
Fiche technique
703 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,490 € |
| 10+ | 2,680 € |
| 100+ | 2,210 € |
| 500+ | 1,880 € |
| 1000+ | 1,630 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGC033S10S1XTMA1
Code Commande4640392
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Egalement appeléIGC033S10S1, SP005751571
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id76A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0033ohm
Charge de porte Typique11nC
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches6Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IGC033S10S1XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- Ultra fast switching and high efficiency
- No reverse recovery charge, space saving and highly robust package
- Ultra low gate charge and output charge
- Exposed die for top‑side thermal excellence
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin TSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0033ohm
Type de boîtier de transistor
TSON
Nbre de broches
6Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
76A
Charge de porte Typique
11nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN G3 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits