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IGB070S10S1XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB070S10S1XTMA1
Code Commande4680813RL
Egalement appeléIGB070S10S1, SP006039129
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,150 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB070S10S1XTMA1
Code Commande4680813RL
Egalement appeléIGB070S10S1, SP006039129
Fiche technique
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id38A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.007ohm
Charge de porte Typique6.1nC
Nombre de broches4Broche(s)
Spécifications techniques
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.007ohm
Nombre de broches
4Broche(s)
Courant de drain Id
38A
Charge de porte Typique
6.1nC
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits