IDW40G120C5BFKSA1

Diode ThinQ!™ 1200V SiC Schottky de 5e génération convient pour une utilisation dans les onduleurs solaires, les alimentations sans coupure (onduleurs), les entraînements de moteur et la correction du facteur de puissance. Les avantages de l'utilisation de la diode Schottky sont l'amélioration de l'efficacité du système par rapport aux diodes Si, permettant des solutions de fréquence plus élevée, une densité de puissance accrue, des économies de taille/coût du système grâce à la réduction des besoins en dissipateur thermique et des magnétiques plus petits, une réduction des EMI, une efficacité maximale sur toute la plage de charge, un fonctionnement robuste de la diode lors d'événements de surtension et de haute fiabilité.

• Matériau semi-conducteur révolutionnaire - Carbure de silicium
• Aucun courant de récupération inverse/aucune récupération avant
• Comportement de la commutation indépendant de la température
• Faible tension directe même à haute température de fonctionnement
• Distribution de tension directe étroite
• Excellentes performances thermiques
• Capacité de courant de surtension étendue
• Robustesse DV/DT spécifiée
• Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles.

Avertissements

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